<s>
thumb|upright	O
=	O
1.6	O
|MOSFET	O
,	O
showing	O
gate	B-Algorithm
(	O
G	O
)	O
,	O
body	O
(	O
B	O
)	O
,	O
source	O
(	O
S	O
)	O
,	O
and	O
drain	O
(	O
D	O
)	O
terminals	O
.	O
</s>
<s>
The	O
gate	B-Algorithm
is	O
separated	O
from	O
the	O
body	O
by	O
an	O
insulating	B-Algorithm
layer	I-Algorithm
(	O
pink	O
)	O
.	O
</s>
<s>
The	O
metal	B-Architecture
–	I-Architecture
oxide	I-Architecture
–	I-Architecture
semiconductor	I-Architecture
field-effect	I-Architecture
transistor	I-Architecture
(	O
MOSFET	B-Architecture
,	O
MOS-FET	B-Architecture
,	O
or	O
MOS	B-Architecture
FET	I-Architecture
)	O
,	O
also	O
known	O
as	O
the	O
metal	B-Architecture
–	I-Architecture
oxide	I-Architecture
–	I-Architecture
silicon	I-Architecture
transistor	B-Application
(	O
MOS	B-Architecture
transistor	I-Architecture
,	O
or	O
MOS	O
)	O
,	O
is	O
a	B-General_Concept
type	O
of	O
insulated-gate	B-Architecture
field-effect	I-Architecture
transistor	I-Architecture
(	O
IGFET	B-Architecture
)	O
that	O
is	O
fabricated	B-Architecture
by	O
the	O
controlled	B-Algorithm
oxidation	I-Algorithm
of	O
a	B-General_Concept
semiconductor	O
,	O
typically	O
silicon	O
.	O
</s>
<s>
The	O
voltage	O
of	O
the	O
covered	B-Algorithm
gate	I-Algorithm
determines	O
the	O
electrical	O
conductivity	O
of	O
the	O
device	O
;	O
this	O
ability	O
to	O
change	O
conductivity	O
with	O
the	O
amount	O
of	O
applied	O
voltage	O
can	O
be	O
used	O
for	O
amplifying	O
or	O
switching	O
electronic	O
signals	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
the	O
basic	O
building	O
block	O
of	O
most	O
modern	O
electronics	O
,	O
and	O
the	O
most	O
frequently	O
manufactured	O
device	O
in	O
history	O
,	O
with	O
an	O
estimated	O
total	O
of	O
13sextillion	O
(	O
1.3	O
×	O
1022	O
)	O
MOSFETs	B-Architecture
manufactured	O
between	O
1960	O
and	O
2018	O
.	O
</s>
<s>
It	O
was	O
the	O
first	O
truly	O
compact	O
transistor	B-Application
that	O
could	O
be	O
miniaturized	O
and	O
mass-produced	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
uses	O
.	O
</s>
<s>
MOSFET	B-Architecture
scaling	O
and	O
miniaturization	O
has	O
been	O
driving	O
the	O
rapid	O
exponential	O
growth	O
of	O
electronic	O
semiconductor	O
technology	O
since	O
the	O
1960s	O
,	O
and	O
enable	O
high-density	O
integrated	O
circuits	O
(	O
ICs	O
)	O
such	O
as	O
memory	B-Architecture
chips	I-Architecture
and	O
microprocessors	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
in	O
integrated	O
circuits	O
are	O
the	O
primary	O
elements	O
of	O
computer	O
processors	O
,	O
semiconductor	B-Architecture
memory	I-Architecture
,	O
image	B-Algorithm
sensors	I-Algorithm
,	O
and	O
most	O
other	O
types	O
of	O
integrated	O
circuits	O
.	O
</s>
<s>
Discrete	O
MOSFET	B-Architecture
devices	O
are	O
widely	O
used	O
in	O
applications	O
such	O
as	O
switch	O
mode	O
power	O
supplies	O
,	O
variable-frequency	O
drives	O
,	O
and	O
other	O
power	O
electronics	O
applications	O
where	O
each	O
device	O
may	O
be	O
switching	O
thousands	O
of	O
watts	O
.	O
</s>
<s>
Radio-frequency	O
amplifiers	O
up	O
to	O
the	O
UHF	O
spectrum	O
use	O
MOSFET	B-Architecture
transistors	B-Application
as	O
analog	O
signal	O
and	O
power	O
amplifiers	O
.	O
</s>
<s>
Radio	O
systems	O
also	O
use	O
MOSFETs	B-Architecture
as	O
oscillators	O
,	O
or	O
mixers	O
to	O
convert	O
frequencies	O
.	O
</s>
<s>
MOSFET	B-Architecture
devices	O
are	O
also	O
applied	O
in	O
audio-frequency	O
power	O
amplifiers	O
for	O
public	O
address	O
systems	O
,	O
sound	O
reinforcement	O
,	O
and	O
home	O
and	O
automobile	O
sound	O
systems	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
the	O
most	O
widely	O
used	O
type	O
of	O
transistor	B-Application
and	O
the	O
most	O
critical	O
device	O
component	O
in	O
integrated	O
circuit	O
(	O
IC	O
)	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
Planar	B-Algorithm
process	I-Algorithm
,	O
developed	O
by	O
Jean	O
Hoerni	O
at	O
Fairchild	O
Semiconductor	O
in	O
early	O
1959	O
,	O
was	O
critical	O
to	O
the	O
invention	O
of	O
the	O
monolithic	O
integrated	O
circuit	O
chip	O
by	O
Robert	O
Noyce	O
later	O
in	O
1959	O
.	O
</s>
<s>
The	O
same	O
year	O
,	O
Atalla	O
used	O
his	O
surface	O
passivation	O
process	O
to	O
make	O
the	O
first	O
working	O
MOSFET	B-Architecture
with	O
Dawon	O
Kahng	O
at	O
Bell	O
Labs	O
.	O
</s>
<s>
This	O
was	O
followed	O
by	O
the	O
development	O
of	O
clean	O
rooms	O
to	O
reduce	O
contamination	O
to	O
levels	O
never	O
before	O
thought	O
necessary	O
,	O
and	O
coincided	O
with	O
the	O
development	O
of	O
photolithography	B-Algorithm
which	O
,	O
along	O
with	O
surface	O
passivation	O
and	O
the	O
planar	B-Algorithm
process	I-Algorithm
,	O
allowed	O
circuits	O
to	O
be	O
made	O
in	O
few	O
steps	O
.	O
</s>
<s>
Atalla	O
realised	O
that	O
the	O
main	O
advantage	O
of	O
a	B-General_Concept
MOS	B-Architecture
transistor	I-Architecture
was	O
its	O
ease	O
of	O
fabrication	B-Architecture
,	O
particularly	O
suiting	O
it	O
for	O
use	O
in	O
the	O
recently	O
invented	O
integrated	O
circuits	O
.	O
</s>
<s>
In	O
contrast	O
to	O
bipolar	O
transistors	B-Application
which	O
required	O
a	B-General_Concept
number	O
of	O
steps	O
for	O
the	O
p	O
–	O
n	O
junction	O
isolation	O
of	O
transistors	B-Application
on	O
a	B-General_Concept
chip	O
,	O
MOSFETs	B-Architecture
required	O
no	O
such	O
steps	O
but	O
could	O
be	O
easily	O
isolated	O
from	O
each	O
other	O
.	O
</s>
<s>
The	O
Si	O
–	O
SiO2	O
system	O
possessed	O
the	O
technical	O
attractions	O
of	O
low	O
cost	O
of	O
production	O
(	O
on	O
a	B-General_Concept
per	O
circuit	O
basis	O
)	O
and	O
ease	O
of	O
integration	O
.	O
</s>
<s>
These	O
two	O
factors	O
,	O
along	O
with	O
its	O
rapidly	O
scaling	O
miniaturization	O
and	O
low	O
energy	O
consumption	O
,	O
led	O
to	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
becoming	O
the	O
most	O
widely	O
used	O
type	O
of	O
transistor	B-Application
in	O
IC	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
The	O
earliest	O
experimental	O
MOS	O
IC	O
to	O
be	O
demonstrated	O
was	O
a	B-General_Concept
16-transistor	O
chip	O
built	O
by	O
Fred	O
Heiman	O
and	O
Steven	O
Hofstein	O
at	O
RCA	O
in	O
1962	O
.	O
</s>
<s>
General	O
Microelectronics	O
later	O
introduced	O
the	O
first	O
commercial	O
MOS	O
integrated	O
circuits	O
in	O
1964	O
,	O
consisting	O
of	O
120	O
p-channel	O
transistors	B-Application
.	O
</s>
<s>
It	O
was	O
a	B-General_Concept
20-bit	O
shift	B-General_Concept
register	I-General_Concept
,	O
developed	O
by	O
Robert	O
Norman	O
and	O
Frank	O
Wanlass	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1967	O
,	O
Bell	O
Labs	O
researchers	O
Robert	O
Kerwin	O
,	O
Donald	O
Klein	O
and	O
John	O
Sarace	O
developed	O
the	O
self-aligned	O
gate	B-Algorithm
(	O
silicon-gate	O
)	O
MOS	B-Architecture
transistor	I-Architecture
,	O
which	O
Fairchild	O
Semiconductor	O
researchers	O
Federico	O
Faggin	O
and	O
Tom	O
Klein	O
used	O
to	O
develop	O
the	O
first	O
silicon-gate	O
MOS	O
IC	O
.	O
</s>
<s>
With	O
its	O
high	O
scalability	O
,	O
and	O
much	O
lower	O
power	O
consumption	O
and	O
higher	O
density	O
than	O
bipolar	O
junction	O
transistors	B-Application
,	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
made	O
it	O
possible	O
to	O
build	O
high-density	O
IC	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
By	O
1964	O
,	O
MOS	O
chips	O
had	O
reached	O
higher	O
transistor	B-Application
density	O
and	O
lower	O
manufacturing	O
costs	O
than	O
bipolar	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
MOS	O
chips	O
further	O
increased	O
in	O
complexity	O
at	O
a	B-General_Concept
rate	O
predicted	O
by	O
Moore	O
's	O
law	O
,	O
leading	O
to	O
large-scale	O
integration	O
(	O
LSI	O
)	O
with	O
hundreds	O
of	O
MOSFETs	B-Architecture
on	O
a	B-General_Concept
chip	O
by	O
the	O
late	O
1960s	O
.	O
</s>
<s>
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
enabled	O
the	O
integration	O
of	O
more	O
than	O
10,000	O
transistors	B-Application
on	O
a	B-General_Concept
single	O
LSI	O
chip	O
by	O
the	O
early	O
1970s	O
,	O
before	O
later	O
enabling	O
very	O
large-scale	O
integration	O
(	O
VLSI	O
)	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
the	O
basis	O
of	O
every	O
microprocessor	B-Architecture
,	O
and	O
was	O
responsible	O
for	O
the	O
invention	O
of	O
the	O
microprocessor	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
The	O
origins	O
of	O
both	O
the	O
microprocessor	B-Architecture
and	O
the	O
microcontroller	B-Architecture
can	O
be	O
traced	O
back	O
to	O
the	O
invention	O
and	O
development	O
of	O
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
The	O
application	O
of	O
MOS	O
LSI	O
chips	O
to	O
computing	O
was	O
the	O
basis	O
for	O
the	O
first	O
microprocessors	B-Architecture
,	O
as	O
engineers	O
began	O
recognizing	O
that	O
a	B-General_Concept
complete	O
computer	O
processor	O
could	O
be	O
contained	O
on	O
a	B-General_Concept
single	O
MOS	O
LSI	O
chip	O
.	O
</s>
<s>
The	O
earliest	B-General_Concept
microprocessors	I-General_Concept
were	O
all	O
MOS	O
chips	O
,	O
built	O
with	O
MOS	O
LSI	O
circuits	O
.	O
</s>
<s>
The	O
first	O
multi-chip	O
microprocessors	B-Architecture
,	O
the	O
Four-Phase	O
Systems	O
AL1	O
in	O
1969	O
and	O
the	O
Garrett	O
AiResearch	O
MP944	B-Device
in	O
1970	O
,	O
were	O
developed	O
with	O
multiple	O
MOS	O
LSI	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
The	O
first	O
commercial	O
single-chip	O
microprocessor	B-Architecture
,	O
the	O
Intel	B-General_Concept
4004	I-General_Concept
,	O
was	O
developed	O
by	O
Federico	O
Faggin	O
,	O
using	O
his	O
silicon-gate	O
MOS	O
IC	O
technology	O
,	O
with	O
Intel	O
engineers	O
Marcian	O
Hoff	O
and	O
Stan	O
Mazor	O
,	O
and	O
Busicom	O
engineer	O
Masatoshi	O
Shima	O
.	O
</s>
<s>
With	O
the	O
arrival	O
of	O
CMOS	B-Device
microprocessors	B-Architecture
in	O
1975	O
,	O
the	O
term	O
"	O
MOS	O
microprocessors	B-Architecture
"	O
began	O
to	O
refer	O
to	O
chips	O
fabricated	B-Architecture
entirely	O
from	O
PMOS	B-Algorithm
logic	I-Algorithm
or	O
fabricated	B-Architecture
entirely	O
from	O
NMOS	B-Algorithm
logic	I-Algorithm
,	O
contrasted	O
with	O
"	O
CMOS	B-Device
microprocessors	B-Architecture
"	O
and	O
"	O
bipolar	O
bit-slice	B-General_Concept
processors	I-General_Concept
"	O
.	O
</s>
<s>
Complementary	O
metal	B-Architecture
–	I-Architecture
oxide	I-Architecture
–	I-Architecture
semiconductor	I-Architecture
(	O
CMOS	B-Device
)	O
logic	O
was	O
developed	O
by	O
Chih-Tang	O
Sah	O
and	O
Frank	O
Wanlass	O
at	O
Fairchild	O
Semiconductor	O
in	O
1963	O
.	O
</s>
<s>
CMOS	B-Device
had	O
lower	O
power	O
consumption	O
,	O
but	O
was	O
initially	O
slower	O
than	O
NMOS	B-Algorithm
,	O
which	O
was	O
more	O
widely	O
used	O
for	O
computers	O
in	O
the	O
1970s	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1978	O
,	O
Hitachi	O
introduced	O
the	O
twin-well	O
CMOS	B-Device
process	O
,	O
which	O
allowed	O
CMOS	B-Device
to	O
match	O
the	O
performance	O
of	O
NMOS	B-Algorithm
with	O
less	O
power	O
consumption	O
.	O
</s>
<s>
The	O
twin-well	O
CMOS	B-Device
process	O
eventually	O
overtook	O
NMOS	B-Algorithm
as	O
the	O
most	O
common	O
semiconductor	B-Architecture
manufacturing	I-Architecture
process	I-Architecture
for	O
computers	O
in	O
the	O
1980s	O
.	O
</s>
<s>
By	O
the	O
1980s	O
CMOS	B-Device
logic	O
consumed	O
over	O
times	O
less	O
power	O
than	O
NMOS	B-Algorithm
logic	I-Algorithm
,	O
and	O
about	O
100,000	O
times	O
less	O
power	O
than	O
bipolar	O
transistor-transistor	B-General_Concept
logic	I-General_Concept
(	O
TTL	B-General_Concept
)	O
.	O
</s>
<s>
The	O
growth	O
of	O
digital	O
technologies	O
like	O
the	O
microprocessor	B-Architecture
has	O
provided	O
the	O
motivation	O
to	O
advance	O
MOSFET	B-Architecture
technology	O
faster	O
than	O
any	O
other	O
type	O
of	O
silicon-based	O
transistor	B-Application
.	O
</s>
<s>
A	B-General_Concept
big	O
advantage	O
of	O
MOSFETs	B-Architecture
for	O
digital	O
switching	O
is	O
that	O
the	O
oxide	B-Algorithm
layer	O
between	O
the	O
gate	B-Algorithm
and	O
the	O
channel	O
prevents	O
DC	O
current	O
from	O
flowing	O
through	O
the	O
gate	B-Algorithm
,	O
further	O
reducing	O
power	O
consumption	O
and	O
giving	O
a	B-General_Concept
very	O
large	O
input	O
impedance	O
.	O
</s>
<s>
The	O
insulating	O
oxide	B-Algorithm
between	O
the	O
gate	B-Algorithm
and	O
channel	O
effectively	O
isolates	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
in	O
one	O
logic	O
stage	O
from	O
earlier	O
and	O
later	O
stages	O
,	O
which	O
allows	O
a	B-General_Concept
single	O
MOSFET	B-Architecture
output	O
to	O
drive	O
a	B-General_Concept
considerable	O
number	O
of	O
MOSFET	B-Architecture
inputs	O
.	O
</s>
<s>
Bipolar	O
transistor-based	O
logic	O
(	O
such	O
as	O
TTL	B-General_Concept
)	O
does	O
not	O
have	O
such	O
a	B-General_Concept
high	O
fanout	O
capacity	O
.	O
</s>
<s>
That	O
extent	O
is	O
defined	O
by	O
the	O
operating	O
frequency	O
:	O
as	O
frequencies	O
increase	O
,	O
the	O
input	O
impedance	O
of	O
the	O
MOSFETs	B-Architecture
decreases	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
's	O
advantages	O
in	O
digital	O
circuits	O
do	O
not	O
translate	O
into	O
supremacy	O
in	O
all	O
analog	O
circuits	O
.	O
</s>
<s>
The	O
two	O
types	O
of	O
circuit	O
draw	O
upon	O
different	O
features	O
of	O
transistor	B-Application
behavior	O
.	O
</s>
<s>
The	O
JFET	O
and	O
bipolar	O
junction	O
transistor	B-Application
(	O
BJT	O
)	O
are	O
preferred	O
for	O
accurate	O
matching	O
(	O
of	O
adjacent	O
devices	O
in	O
integrated	O
circuits	O
)	O
,	O
higher	O
transconductance	B-Algorithm
and	O
certain	O
temperature	O
characteristics	O
which	O
simplify	O
keeping	O
performance	O
predictable	O
as	O
circuit	O
temperature	O
varies	O
.	O
</s>
<s>
Nevertheless	O
,	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
many	O
types	O
of	O
analog	O
circuits	O
because	O
of	O
their	O
own	O
advantages	O
(	O
zero	O
gate	B-Algorithm
current	O
,	O
high	O
and	O
adjustable	O
output	O
impedance	O
and	O
improved	O
robustness	O
vs.	O
BJTs	O
which	O
can	O
be	O
permanently	O
degraded	O
by	O
even	O
lightly	O
breaking	O
down	O
the	O
emitter-base	O
)	O
.	O
</s>
<s>
The	O
characteristics	O
and	O
performance	O
of	O
many	O
analog	O
circuits	O
can	O
be	O
scaled	O
up	O
or	O
down	O
by	O
changing	O
the	O
sizes	O
(	O
length	O
and	O
width	O
)	O
of	O
the	O
MOSFETs	B-Architecture
used	O
.	O
</s>
<s>
By	O
comparison	O
,	O
in	O
bipolar	O
transistors	B-Application
the	O
size	O
of	O
the	O
device	O
does	O
not	O
significantly	O
affect	O
its	O
performance	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
 '	O
ideal	O
characteristics	O
regarding	O
gate	B-Algorithm
current	O
(	O
zero	O
)	O
and	O
drain-source	O
offset	O
voltage	O
(	O
zero	O
)	O
also	O
make	O
them	O
nearly	O
ideal	O
switch	O
elements	O
,	O
and	O
also	O
make	O
switched	B-Algorithm
capacitor	I-Algorithm
analog	O
circuits	O
practical	O
.	O
</s>
<s>
In	O
their	O
linear	O
region	O
,	O
MOSFETs	B-Architecture
can	O
be	O
used	O
as	O
precision	O
resistors	O
,	O
which	O
can	O
have	O
a	B-General_Concept
much	O
higher	O
controlled	O
resistance	O
than	O
BJTs	O
.	O
</s>
<s>
In	O
high	O
power	O
circuits	O
,	O
MOSFETs	B-Architecture
sometimes	O
have	O
the	O
advantage	O
of	O
not	O
suffering	O
from	O
thermal	O
runaway	O
as	O
BJTs	O
do	O
.	O
</s>
<s>
Also	O
,	O
MOSFETs	B-Architecture
can	O
be	O
configured	O
to	O
perform	O
as	O
capacitors	O
and	O
gyrator	O
circuits	O
which	O
allow	O
op-amps	O
made	O
from	O
them	O
to	O
appear	O
as	O
inductors	O
,	O
thereby	O
allowing	O
all	O
of	O
the	O
normal	O
analog	O
devices	O
on	O
a	B-General_Concept
chip	O
(	O
except	O
for	O
diodes	O
,	O
which	O
can	O
be	O
made	O
smaller	O
than	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
anyway	O
)	O
to	O
be	O
built	O
entirely	O
out	O
of	O
MOSFETs	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
This	O
means	O
that	O
complete	O
analog	O
circuits	O
can	O
be	O
made	O
on	O
a	B-General_Concept
silicon	O
chip	O
in	O
a	B-General_Concept
much	O
smaller	O
space	O
and	O
with	O
simpler	O
fabrication	B-Architecture
techniques	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETS	B-Architecture
are	O
ideally	O
suited	O
to	O
switch	O
inductive	O
loads	O
because	O
of	O
tolerance	O
to	O
inductive	O
kickback	O
.	O
</s>
<s>
Some	O
ICs	O
combine	O
analog	O
and	O
digital	O
MOSFET	B-Architecture
circuitry	O
on	O
a	B-General_Concept
single	O
mixed-signal	O
integrated	O
circuit	O
,	O
making	O
the	O
needed	O
board	O
space	O
even	O
smaller	O
.	O
</s>
<s>
This	O
creates	O
a	B-General_Concept
need	O
to	O
isolate	O
the	O
analog	O
circuits	O
from	O
the	O
digital	O
circuits	O
on	O
a	B-General_Concept
chip	O
level	O
,	O
leading	O
to	O
the	O
use	O
of	O
isolation	O
rings	O
and	O
silicon	B-Algorithm
on	I-Algorithm
insulator	I-Algorithm
(	O
SOI	O
)	O
.	O
</s>
<s>
Since	O
MOSFETs	B-Architecture
require	O
more	O
space	O
to	O
handle	O
a	B-General_Concept
given	O
amount	O
of	O
power	O
than	O
a	B-General_Concept
BJT	O
,	O
fabrication	B-Architecture
processes	O
can	O
incorporate	O
BJTs	O
and	O
MOSFETs	B-Architecture
into	O
a	B-General_Concept
single	O
device	O
.	O
</s>
<s>
Mixed-transistor	O
devices	O
are	O
called	O
bi-FETs	O
(	O
bipolar	O
FETs	O
)	O
if	O
they	O
contain	O
just	O
one	O
BJT-FET	O
and	O
BiCMOS	B-General_Concept
(	O
bipolar-CMOS	O
)	O
if	O
they	O
contain	O
complementary	O
BJT-FETs	O
.	O
</s>
<s>
In	O
the	O
late	O
1980s	O
,	O
Asad	O
Abidi	O
pioneered	O
RF	O
CMOS	B-Device
technology	O
,	O
which	O
uses	O
MOS	O
VLSI	O
circuits	O
,	O
while	O
working	O
at	O
UCLA	O
.	O
</s>
<s>
This	O
changed	O
the	O
way	O
in	O
which	O
RF	B-Application
circuits	I-Application
were	O
designed	O
,	O
away	O
from	O
discrete	O
bipolar	O
transistors	B-Application
and	O
towards	O
CMOS	B-Device
integrated	O
circuits	O
.	O
</s>
<s>
As	O
of	O
2008	O
,	O
the	O
radio	O
transceivers	O
in	O
all	O
wireless	B-General_Concept
networking	I-General_Concept
devices	O
and	O
modern	O
mobile	O
phones	O
are	O
mass-produced	O
as	O
RF	O
CMOS	B-Device
devices	O
.	O
</s>
<s>
RF	O
CMOS	B-Device
is	O
also	O
used	O
in	O
nearly	O
all	O
modern	O
Bluetooth	B-Protocol
and	O
wireless	B-Architecture
LAN	I-Architecture
(	O
WLAN	B-Architecture
)	O
devices	O
.	O
</s>
<s>
MOSFET	B-Architecture
analog	O
switches	O
use	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
to	O
pass	O
analog	O
signals	O
when	O
on	O
,	O
and	O
as	O
a	B-General_Concept
high	O
impedance	O
when	O
off	O
.	O
</s>
<s>
Signals	O
flow	O
in	O
both	O
directions	O
across	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
switch	O
.	O
</s>
<s>
In	O
this	O
application	O
,	O
the	O
drain	O
and	O
source	O
of	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
exchange	O
places	O
depending	O
on	O
the	O
relative	O
voltages	O
of	O
the	O
source/drain	O
electrodes	O
.	O
</s>
<s>
The	O
source	O
is	O
the	O
more	O
negative	O
side	O
for	O
an	O
N-MOS	B-Algorithm
or	O
the	O
more	O
positive	O
side	O
for	O
a	B-General_Concept
P-MOS	B-Algorithm
.	O
</s>
<s>
All	O
of	O
these	O
switches	O
are	O
limited	O
on	O
what	O
signals	O
they	O
can	O
pass	O
or	O
stop	O
by	O
their	O
gate	B-Algorithm
–	O
source	O
,	O
gate	B-Algorithm
–	O
drain	O
,	O
and	O
source	O
–	O
drain	O
voltages	O
;	O
exceeding	O
the	O
voltage	O
,	O
current	O
,	O
or	O
power	O
limits	O
will	O
potentially	O
damage	O
the	O
switch	O
.	O
</s>
<s>
This	O
analog	O
switch	O
uses	O
a	B-General_Concept
four-terminal	O
simple	O
MOSFET	B-Architecture
of	O
either	O
P	O
or	O
N	O
type	O
.	O
</s>
<s>
In	O
the	O
case	O
of	O
an	O
n-type	O
switch	O
,	O
the	O
body	O
is	O
connected	O
to	O
the	O
most	O
negative	O
supply	O
(	O
usually	O
GND	O
)	O
and	O
the	O
gate	B-Algorithm
is	O
used	O
as	O
the	O
switch	O
control	O
.	O
</s>
<s>
Whenever	O
the	O
gate	B-Algorithm
voltage	O
exceeds	O
the	O
source	O
voltage	O
by	O
at	O
least	O
a	B-General_Concept
threshold	O
voltage	O
,	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
conducts	O
.	O
</s>
<s>
The	O
higher	O
the	O
voltage	O
,	O
the	O
more	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
can	O
conduct	O
.	O
</s>
<s>
An	O
N-MOS	B-Algorithm
switch	O
passes	O
all	O
voltages	O
less	O
than	O
V	O
−	O
V	O
.	O
When	O
the	O
switch	O
is	O
conducting	O
,	O
it	O
typically	O
operates	O
in	O
the	O
linear	O
(	O
or	O
ohmic	O
)	O
mode	O
of	O
operation	O
,	O
since	O
the	O
source	O
and	O
drain	O
voltages	O
will	O
typically	O
be	O
nearly	O
equal	O
.	O
</s>
<s>
In	O
the	O
case	O
of	O
a	B-General_Concept
P-MOS	B-Algorithm
,	O
the	O
body	O
is	O
connected	O
to	O
the	O
most	O
positive	O
voltage	O
,	O
and	O
the	O
gate	B-Algorithm
is	O
brought	O
to	O
a	B-General_Concept
lower	O
potential	O
to	O
turn	O
the	O
switch	O
on	O
.	O
</s>
<s>
The	O
P-MOS	B-Algorithm
switch	O
passes	O
all	O
voltages	O
higher	O
than	O
V	O
−	O
V	O
(	O
threshold	O
voltage	O
V	O
is	O
negative	O
in	O
the	O
case	O
of	O
enhancement-mode	O
P-MOS	B-Algorithm
)	O
.	O
</s>
<s>
This	O
"	O
complementary	O
"	O
or	O
CMOS	B-Device
type	O
of	O
switch	O
uses	O
one	O
P-MOS	B-Algorithm
and	O
one	O
N-MOS	B-Algorithm
FET	O
to	O
counteract	O
the	O
limitations	O
of	O
the	O
single-type	O
switch	O
.	O
</s>
<s>
The	O
FETs	O
have	O
their	O
drains	O
and	O
sources	O
connected	O
in	O
parallel	O
,	O
the	O
body	O
of	O
the	O
P-MOS	B-Algorithm
is	O
connected	O
to	O
the	O
high	O
potential	O
(	O
VDD	O
)	O
and	O
the	O
body	O
of	O
the	O
N-MOS	B-Algorithm
is	O
connected	O
to	O
the	O
low	O
potential	O
(	O
gnd	O
)	O
.	O
</s>
<s>
To	O
turn	O
the	O
switch	O
on	O
,	O
the	O
gate	B-Algorithm
of	O
the	O
P-MOS	B-Algorithm
is	O
driven	O
to	O
the	O
low	O
potential	O
and	O
the	O
gate	B-Algorithm
of	O
the	O
N-MOS	B-Algorithm
is	O
driven	O
to	O
the	O
high	O
potential	O
.	O
</s>
<s>
For	O
voltages	O
between	O
VDD	O
−	O
Vtn	O
and	O
gnd	O
−	O
Vtp	O
,	O
both	O
FETs	O
conduct	O
the	O
signal	O
;	O
for	O
voltages	O
less	O
than	O
gnd	O
−	O
Vtp	O
,	O
the	O
N-MOS	B-Algorithm
conducts	O
alone	O
;	O
and	O
for	O
voltages	O
greater	O
than	O
VDD	O
−	O
Vtn	O
,	O
the	O
P-MOS	B-Algorithm
conducts	O
alone	O
.	O
</s>
<s>
The	O
voltage	O
limits	O
for	O
this	O
switch	O
are	O
the	O
gate	B-Algorithm
–	O
source	O
,	O
gate	B-Algorithm
–	O
drain	O
and	O
source	O
–	O
drain	O
voltage	O
limits	O
for	O
both	O
FETs	O
.	O
</s>
<s>
Also	O
,	O
the	O
P-MOS	B-Algorithm
is	O
typically	O
two	O
to	O
three	O
times	O
wider	O
than	O
the	O
N-MOS	B-Algorithm
,	O
so	O
the	O
switch	O
will	O
be	O
balanced	O
for	O
speed	O
in	O
the	O
two	O
directions	O
.	O
</s>
<s>
Tri-state	B-Device
circuitry	I-Device
sometimes	O
incorporates	O
a	B-General_Concept
CMOS	B-Device
MOSFET	B-Architecture
switch	O
on	O
its	O
output	O
to	O
provide	O
for	O
a	B-General_Concept
low-ohmic	O
,	O
full-range	O
output	O
when	O
on	O
,	O
and	O
a	B-General_Concept
high-ohmic	O
,	O
mid-level	O
signal	O
when	O
off	O
.	O
</s>
<s>
The	O
advent	O
of	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
enabled	O
the	O
practical	O
use	O
of	O
MOS	B-Architecture
transistors	I-Architecture
as	O
memory	B-Algorithm
cell	I-Algorithm
storage	O
elements	O
,	O
a	B-General_Concept
function	O
previously	O
served	O
by	O
magnetic	O
cores	O
in	O
computer	B-General_Concept
memory	I-General_Concept
.	O
</s>
<s>
The	O
first	O
modern	O
computer	B-General_Concept
memory	I-General_Concept
was	O
introduced	O
in	O
1965	O
,	O
when	O
John	O
Schmidt	O
at	O
Fairchild	O
Semiconductor	O
designed	O
the	O
first	O
MOS	O
semiconductor	B-Architecture
memory	I-Architecture
,	O
a	B-General_Concept
64-bit	B-Device
MOS	O
SRAM	B-Architecture
(	O
static	B-Architecture
random-access	I-Architecture
memory	I-Architecture
)	O
.	O
</s>
<s>
SRAM	B-Architecture
became	O
an	O
alternative	O
to	O
magnetic-core	O
memory	O
,	O
but	O
required	O
six	O
MOS	B-Architecture
transistors	I-Architecture
for	O
each	O
bit	O
of	O
data	O
.	O
</s>
<s>
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
is	O
the	O
basis	O
for	O
DRAM	O
(	O
dynamic	O
random-access	B-Architecture
memory	I-Architecture
)	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1966	O
,	O
Dr.	O
Robert	O
H	O
.	O
Dennard	O
at	O
the	O
IBM	O
Thomas	O
J	O
.	O
Watson	O
Research	O
Center	O
was	O
working	O
on	O
MOS	B-Architecture
memory	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
While	O
examining	O
the	O
characteristics	O
of	O
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
,	O
he	O
found	O
it	O
was	O
capable	O
of	O
building	O
capacitors	O
,	O
and	O
that	O
storing	O
a	B-General_Concept
charge	O
or	O
no	O
charge	O
on	O
the	O
MOS	O
capacitor	O
could	O
represent	O
the	O
1	O
and	O
0	O
of	O
a	B-General_Concept
bit	O
,	O
while	O
the	O
MOS	B-Architecture
transistor	I-Architecture
could	O
control	O
writing	O
the	O
charge	O
to	O
the	O
capacitor	O
.	O
</s>
<s>
This	O
led	O
to	O
his	O
development	O
of	O
a	B-General_Concept
single-transistor	O
DRAM	O
memory	B-Algorithm
cell	I-Algorithm
.	O
</s>
<s>
In	O
1967	O
,	O
Dennard	O
filed	O
a	B-General_Concept
patent	O
under	O
IBM	O
for	O
a	B-General_Concept
single-transistor	O
DRAM	O
(	O
dynamic	O
random-access	B-Architecture
memory	I-Architecture
)	O
memory	B-Algorithm
cell	I-Algorithm
,	O
based	O
on	O
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
MOS	B-Architecture
memory	I-Architecture
enabled	O
higher	O
performance	O
,	O
was	O
cheaper	O
,	O
and	O
consumed	O
less	O
power	O
,	O
than	O
magnetic-core	O
memory	O
,	O
leading	O
to	O
MOS	B-Architecture
memory	I-Architecture
overtaking	O
magnetic	O
core	O
memory	O
as	O
the	O
dominant	O
computer	B-General_Concept
memory	I-General_Concept
technology	O
by	O
the	O
early	O
1970s	O
.	O
</s>
<s>
Frank	O
Wanlass	O
,	O
while	O
studying	O
MOSFET	B-Architecture
structures	O
in	O
1963	O
,	O
noted	O
the	O
movement	O
of	O
charge	O
through	O
oxide	B-Algorithm
onto	O
a	B-General_Concept
gate	B-Algorithm
.	O
</s>
<s>
While	O
he	O
did	O
not	O
pursue	O
it	O
,	O
this	O
idea	O
would	O
later	O
become	O
the	O
basis	O
for	O
EPROM	B-General_Concept
(	O
erasable	B-General_Concept
programmable	I-General_Concept
read-only	I-General_Concept
memory	I-General_Concept
)	O
technology	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1967	O
,	O
Dawon	O
Kahng	O
and	O
Simon	O
Sze	O
proposed	O
that	O
floating-gate	B-Algorithm
memory	B-Algorithm
cells	I-Algorithm
,	O
consisting	O
of	O
floating-gate	B-Algorithm
MOSFETs	I-Algorithm
(	O
FGMOS	B-Algorithm
)	O
,	O
could	O
be	O
used	O
to	O
produce	O
reprogrammable	B-General_Concept
ROM	I-General_Concept
(	O
read-only	B-Device
memory	I-Device
)	O
.	O
</s>
<s>
Floating-gate	B-Algorithm
memory	B-Algorithm
cells	I-Algorithm
later	O
became	O
the	O
basis	O
for	O
non-volatile	B-General_Concept
memory	I-General_Concept
(	O
NVM	O
)	O
technologies	O
including	O
EPROM	B-General_Concept
,	O
EEPROM	B-General_Concept
(	O
electrically	B-General_Concept
erasable	I-General_Concept
programmable	I-General_Concept
ROM	I-General_Concept
)	O
and	O
flash	B-Device
memory	I-Device
.	O
</s>
<s>
There	O
are	O
various	O
different	O
types	O
of	O
MOS	B-Architecture
memory	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
The	O
following	O
list	O
includes	O
various	O
different	O
MOS	B-Architecture
memory	I-Architecture
types	O
.	O
</s>
<s>
A	B-General_Concept
number	O
of	O
MOSFET	B-Architecture
sensors	B-Application
have	O
been	O
developed	O
,	O
for	O
measuring	O
physical	O
,	O
chemical	O
,	O
biological	O
and	O
environmental	O
parameters	O
.	O
</s>
<s>
The	O
earliest	O
MOSFET	B-Architecture
sensors	B-Application
include	O
the	O
open-gate	O
FET	O
(	O
OGFET	O
)	O
introduced	O
by	O
Johannessen	O
in	O
1970	O
,	O
the	O
ion-sensitive	B-Algorithm
field-effect	I-Algorithm
transistor	I-Algorithm
(	O
ISFET	B-Algorithm
)	O
invented	O
by	O
Piet	O
Bergveld	O
in	O
1970	O
,	O
the	O
adsorption	O
FET	O
(	O
ADFET	O
)	O
patented	O
by	O
P.F.	O
</s>
<s>
Cox	O
in	O
1974	O
,	O
and	O
a	B-General_Concept
hydrogen-sensitive	O
MOSFET	B-Architecture
demonstrated	O
by	O
I	O
.	O
Lundstrom	O
,	O
M.S.	O
</s>
<s>
The	O
ISFET	B-Algorithm
is	O
a	B-General_Concept
special	O
type	O
of	O
MOSFET	B-Architecture
with	O
a	B-General_Concept
gate	B-Algorithm
at	O
a	B-General_Concept
certain	O
distance	O
,	O
and	O
where	O
the	O
metal	B-Algorithm
gate	I-Algorithm
is	O
replaced	O
by	O
an	O
ion-sensitive	O
membrane	O
,	O
electrolyte	O
solution	O
and	O
reference	O
electrode	O
.	O
</s>
<s>
By	O
the	O
mid-1980s	O
,	O
numerous	O
other	O
MOSFET	B-Architecture
sensors	B-Application
had	O
been	O
developed	O
,	O
including	O
the	O
gas	O
sensor	O
FET	O
(	O
GASFET	O
)	O
,	O
surface	O
accessible	O
FET	O
(	O
SAFET	O
)	O
,	O
charge	O
flow	O
transistor	B-Application
(	O
CFT	O
)	O
,	O
pressure	O
sensor	O
FET	O
(	O
PRESSFET	O
)	O
,	O
chemical	B-Algorithm
field-effect	I-Algorithm
transistor	I-Algorithm
(	O
ChemFET	B-Algorithm
)	O
,	O
reference	B-Algorithm
ISFET	I-Algorithm
(	O
REFET	O
)	O
,	O
biosensor	O
FET	O
(	O
BioFET	O
)	O
,	O
enzyme-modified	O
FET	O
(	O
ENFET	O
)	O
and	O
immunologically	O
modified	O
FET	O
(	O
IMFET	O
)	O
.	O
</s>
<s>
By	O
the	O
early	O
2000s	O
,	O
BioFET	O
types	O
such	O
as	O
the	O
DNA	O
field-effect	O
transistor	B-Application
(	O
DNAFET	O
)	O
,	O
gene-modified	O
FET	O
(	O
GenFET	O
)	O
and	O
cell-potential	O
BioFET	O
(	O
CPFET	O
)	O
had	O
been	O
developed	O
.	O
</s>
<s>
The	O
two	O
main	O
types	O
of	O
image	B-Algorithm
sensors	I-Algorithm
used	O
in	O
digital	B-Algorithm
imaging	I-Algorithm
technology	O
are	O
the	O
charge-coupled	B-Algorithm
device	I-Algorithm
(	O
CCD	O
)	O
and	O
the	O
active-pixel	B-Architecture
sensor	I-Architecture
(	O
CMOS	B-Architecture
sensor	I-Architecture
)	O
.	O
</s>
<s>
Both	O
CCD	O
and	O
CMOS	B-Architecture
sensors	I-Architecture
are	O
based	O
on	O
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
,	O
with	O
the	O
CCD	O
based	O
on	O
MOS	O
capacitors	O
and	O
the	O
CMOS	B-Architecture
sensor	I-Architecture
based	O
on	O
MOS	B-Architecture
transistors	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
is	O
the	O
basis	O
for	O
modern	O
image	B-Algorithm
sensors	I-Algorithm
,	O
including	O
the	O
charge-coupled	B-Algorithm
device	I-Algorithm
(	O
CCD	O
)	O
and	O
the	O
CMOS	B-Device
active-pixel	B-Architecture
sensor	I-Architecture
(	O
CMOS	B-Architecture
sensor	I-Architecture
)	O
,	O
used	O
in	O
digital	B-Algorithm
imaging	I-Algorithm
and	O
digital	B-Device
cameras	I-Device
.	O
</s>
<s>
While	O
researching	O
the	O
MOS	O
process	O
,	O
they	O
realized	O
that	O
an	O
electric	O
charge	O
was	O
the	O
analogy	O
of	O
the	O
magnetic	O
bubble	O
and	O
that	O
it	O
could	O
be	O
stored	O
on	O
a	B-General_Concept
tiny	O
MOS	O
capacitor	O
.	O
</s>
<s>
As	O
it	O
was	O
fairly	O
straightforward	O
to	O
fabricate	O
a	B-General_Concept
series	O
of	O
MOS	O
capacitors	O
in	O
a	B-General_Concept
row	O
,	O
they	O
connected	O
a	B-General_Concept
suitable	O
voltage	O
to	O
them	O
so	O
that	O
the	O
charge	O
could	O
be	O
stepped	O
along	O
from	O
one	O
to	O
the	O
next	O
.	O
</s>
<s>
The	O
CCD	O
is	O
a	B-General_Concept
semiconductor	O
circuit	O
that	O
was	O
later	O
used	O
in	O
the	O
first	O
digital	O
video	O
cameras	O
for	O
television	O
broadcasting	B-Operating_System
.	O
</s>
<s>
The	O
MOS	O
active-pixel	B-Architecture
sensor	I-Architecture
(	O
APS	O
)	O
was	O
developed	O
by	O
Tsutomu	O
Nakamura	O
at	O
Olympus	O
in	O
1985	O
.	O
</s>
<s>
The	O
CMOS	B-Device
active-pixel	B-Architecture
sensor	I-Architecture
was	O
later	O
developed	O
by	O
Eric	O
Fossum	O
and	O
his	O
team	O
at	O
NASA	O
's	O
Jet	O
Propulsion	O
Laboratory	O
in	O
the	O
early	O
1990s	O
.	O
</s>
<s>
MOS	O
image	B-Algorithm
sensors	I-Algorithm
are	O
widely	O
used	O
in	O
optical	O
mouse	O
technology	O
.	O
</s>
<s>
The	O
first	O
optical	O
mouse	O
,	O
invented	O
by	O
Richard	O
F	O
.	O
Lyon	O
at	O
Xerox	O
in	O
1980	O
,	O
used	O
a	B-General_Concept
5µm	O
NMOS	B-Algorithm
sensor	O
chip	O
.	O
</s>
<s>
Since	O
the	O
first	O
commercial	O
optical	O
mouse	O
,	O
the	O
IntelliMouse	B-Device
introduced	O
in	O
1999	O
,	O
most	O
optical	O
mouse	O
devices	O
use	O
CMOS	B-Architecture
sensors	I-Architecture
.	O
</s>
<s>
MOS	O
sensors	B-Application
,	O
also	O
known	O
as	O
MOSFET	B-Architecture
sensors	B-Application
,	O
are	O
widely	O
used	O
to	O
measure	O
physical	O
,	O
chemical	O
,	O
biological	O
and	O
environmental	O
parameters	O
.	O
</s>
<s>
The	O
ion-sensitive	B-Algorithm
field-effect	I-Algorithm
transistor	I-Algorithm
(	O
ISFET	B-Algorithm
)	O
,	O
for	O
example	O
,	O
is	O
widely	O
used	O
in	O
biomedical	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
also	O
widely	O
used	O
in	O
microelectromechanical	B-Architecture
systems	I-Architecture
(	O
MEMS	B-Architecture
)	O
,	O
as	O
silicon	O
MOSFETs	B-Architecture
could	O
interact	O
and	O
communicate	O
with	O
the	O
surroundings	O
and	O
process	O
things	O
such	O
as	O
chemicals	O
,	O
motions	O
and	O
light	O
.	O
</s>
<s>
An	O
early	O
example	O
of	O
a	B-General_Concept
MEMS	B-Architecture
device	O
is	O
the	O
resonant-gate	O
transistor	B-Application
,	O
an	O
adaptation	O
of	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
,	O
developed	O
by	O
Harvey	O
C	O
.	O
Nathanson	O
in	O
1965	O
.	O
</s>
<s>
Common	O
applications	O
of	O
other	O
MOS	O
sensors	B-Application
include	O
the	O
following	O
.	O
</s>
<s>
thumb|upright	O
=	O
1.2	O
|Two	O
power	O
MOSFETs	B-Architecture
in	O
D2PAK	B-Algorithm
surface-mount	O
packages	O
.	O
</s>
<s>
Operating	O
as	O
switches	O
,	O
each	O
of	O
these	O
components	O
can	O
sustain	O
a	B-General_Concept
blocking	O
voltage	O
of	O
120V	O
in	O
the	O
off	O
state	O
,	O
and	O
can	O
conduct	O
a	B-General_Concept
con­ti­nuous	O
current	O
of	O
30	O
A	B-General_Concept
in	O
the	O
on	O
state	O
,	O
dissipating	O
up	O
to	O
about	O
100	O
W	O
and	O
controlling	O
a	B-General_Concept
load	O
of	O
over	O
2000	O
W	O
.	O
A	B-General_Concept
matchstick	O
is	O
pictured	O
for	O
scale	O
.	O
</s>
<s>
The	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
,	O
which	O
is	O
commonly	O
used	O
in	O
power	O
electronics	O
,	O
was	O
developed	O
in	O
the	O
early	O
1970s	O
.	O
</s>
<s>
The	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
enables	O
low	O
gate	B-Algorithm
drive	O
power	O
,	O
fast	O
switching	O
speed	O
,	O
and	O
advanced	O
paralleling	O
capability	O
.	O
</s>
<s>
The	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
the	O
most	O
widely	O
used	O
power	O
device	O
in	O
the	O
world	O
.	O
</s>
<s>
Advantages	O
over	O
bipolar	O
junction	O
transistors	B-Application
in	O
power	O
electronics	O
include	O
MOSFETs	B-Architecture
not	O
requiring	O
a	B-General_Concept
continuous	O
flow	O
of	O
drive	O
current	O
to	O
remain	O
in	O
the	O
ON	O
state	O
,	O
offering	O
higher	O
switching	O
speeds	O
,	O
lower	O
switching	O
power	O
losses	O
,	O
lower	O
on-resistances	O
,	O
and	O
reduced	O
susceptibility	O
to	O
thermal	O
runaway	O
.	O
</s>
<s>
The	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
had	O
an	O
impact	O
on	O
power	O
supplies	O
,	O
enabling	O
higher	O
operating	O
frequencies	O
,	O
size	O
and	O
weight	O
reduction	O
,	O
and	O
increased	O
volume	O
production	O
.	O
</s>
<s>
Switching	O
power	O
supplies	O
are	O
the	O
most	O
common	O
applications	O
for	O
power	O
MOSFETs	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
The	O
LDMOS	O
in	O
particular	O
is	O
the	O
most	O
widely	O
used	O
power	O
amplifier	O
in	O
mobile	O
networks	O
such	O
as	O
2G	O
,	O
3G	B-Architecture
,	O
4G	B-Architecture
and	O
5G	O
,	O
as	O
well	O
as	O
broadcasting	B-Operating_System
and	O
amateur	O
radio	O
.	O
</s>
<s>
Over	O
50billion	O
discrete	O
power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
shipped	O
annually	O
,	O
as	O
of	O
2018	O
.	O
</s>
<s>
Power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
in	O
automotive	O
electronics	O
,	O
particularly	O
as	O
switching	O
devices	O
in	O
electronic	B-Device
control	I-Device
units	I-Device
,	O
and	O
as	O
power	O
converters	O
in	O
modern	O
electric	O
vehicles	O
.	O
</s>
<s>
The	O
insulated-gate	B-Algorithm
bipolar	O
transistor	B-Application
(	O
IGBT	O
)	O
,	O
a	B-General_Concept
hybrid	O
MOS-bipolar	O
transistor	B-Application
,	O
is	O
also	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
variety	O
of	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
LDMOS	O
,	O
a	B-General_Concept
power	O
MOSFET	B-Architecture
with	O
lateral	O
structure	O
,	O
is	O
commonly	O
used	O
in	O
high-end	O
audio	O
amplifiers	O
and	O
high-power	O
PA	O
systems	O
.	O
</s>
<s>
Their	O
advantage	O
is	O
a	B-General_Concept
better	O
behaviour	O
in	O
the	O
saturated	O
region	O
(	O
corresponding	O
to	O
the	O
linear	O
region	O
of	O
a	B-General_Concept
bipolar	O
transistor	B-Application
)	O
than	O
the	O
vertical	O
MOSFETs	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
Vertical	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
designed	O
for	O
switching	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
Power	O
MOSFETs	B-Architecture
,	O
including	O
DMOS	O
,	O
LDMOS	O
and	O
VMOS	O
devices	O
,	O
are	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
other	O
applications	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
.	O
</s>
<s>
RF	O
DMOS	O
,	O
also	O
known	O
as	O
RF	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
,	O
is	O
a	B-General_Concept
type	O
of	O
DMOS	O
power	O
transistor	B-Application
designed	O
for	O
radio-frequency	O
(	O
RF	O
)	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
fundamental	O
to	O
the	O
consumer	O
electronics	O
industry	O
.	O
</s>
<s>
According	O
to	O
Colinge	O
,	O
numerous	O
consumer	O
electronics	O
would	O
not	O
exist	O
without	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
,	O
such	O
as	O
digital	O
wristwatches	O
,	O
pocket	O
calculators	B-Application
,	O
and	O
video	O
games	O
,	O
for	O
example	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
consumer	O
electronics	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
devices	O
listed	O
.	O
</s>
<s>
Computers	O
or	O
telecommunication	O
devices	O
(	O
such	O
as	O
phones	O
)	O
are	O
not	O
included	O
here	O
,	O
but	O
are	O
listed	O
separately	O
in	O
the	O
Information	B-General_Concept
and	I-General_Concept
communications	I-General_Concept
technology	I-General_Concept
(	O
ICT	O
)	O
section	O
below	O
.	O
</s>
<s>
One	O
of	O
the	O
earliest	O
influential	O
consumer	O
electronic	O
products	O
enabled	O
by	O
MOS	O
LSI	O
circuits	O
was	O
the	O
electronic	O
pocket	O
calculator	B-Application
,	O
as	O
MOS	O
LSI	O
technology	O
enabled	O
large	O
amounts	O
of	O
computational	O
capability	O
in	O
small	O
packages	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1965	O
,	O
the	O
Victor	O
3900	O
desktop	O
calculator	B-Application
was	O
the	O
first	O
MOS	O
LSI	O
calculator	B-Application
,	O
with	O
29	O
MOS	O
LSI	O
chips	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1967	O
the	O
Texas	O
Instruments	O
Cal-Tech	O
was	O
the	O
first	O
prototype	O
electronic	O
handheld	B-Application
calculator	B-Application
,	O
with	O
three	O
MOS	O
LSI	O
chips	O
,	O
and	O
it	O
was	O
later	O
released	O
as	O
the	O
Canon	O
Pocketronic	O
in	O
1970	O
.	O
</s>
<s>
The	O
Sharp	B-Device
QT-8D	I-Device
desktop	O
calculator	B-Application
was	O
the	O
first	O
mass-produced	O
LSI	O
MOS	O
calculator	B-Application
in	O
1969	O
,	O
and	O
the	O
Sharp	B-Device
EL-8	I-Device
which	O
used	O
four	O
MOS	O
LSI	O
chips	O
was	O
the	O
first	O
commercial	O
electronic	O
handheld	B-Application
calculator	B-Application
in	O
1970	O
.	O
</s>
<s>
The	O
first	O
true	O
electronic	O
pocket	O
calculator	B-Application
was	O
the	O
Busicom	O
LE-120A	O
HANDY	O
LE	O
,	O
which	O
used	O
a	B-General_Concept
single	O
MOS	O
LSI	O
calculator-on-a-chip	B-Architecture
from	O
Mostek	O
,	O
and	O
was	O
released	O
in	O
1971	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
audio-visual	O
(	O
AV	O
)	O
media	O
technologies	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
list	O
of	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
Power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
consumer	O
electronics	O
.	O
</s>
<s>
Power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
the	O
following	O
consumer	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
fundamental	O
to	O
information	B-General_Concept
and	I-General_Concept
communications	I-General_Concept
technology	I-General_Concept
(	O
ICT	O
)	O
,	O
including	O
modern	O
computers	O
,	O
modern	O
computing	O
,	O
telecommunications	O
,	O
the	O
communications	O
infrastructure	O
,	O
the	O
Internet	O
,	O
digital	B-General_Concept
telephony	I-General_Concept
,	O
wireless	O
telecommunications	O
,	O
and	O
mobile	O
networks	O
.	O
</s>
<s>
According	O
to	O
Colinge	O
,	O
the	O
modern	O
computer	B-General_Concept
industry	I-General_Concept
and	O
digital	O
telecommunication	O
systems	O
would	O
not	O
exist	O
without	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
Advances	O
in	O
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
has	O
been	O
the	O
most	O
important	O
contributing	O
factor	O
in	O
the	O
rapid	O
rise	O
of	O
network	O
bandwidth	O
in	O
telecommunication	O
networks	O
,	O
with	O
bandwidth	O
doubling	O
every	O
18	O
months	O
,	O
from	O
bits	O
per	O
second	O
to	O
terabits	O
per	O
second	O
(	O
Edholm	B-Algorithm
's	I-Algorithm
law	I-Algorithm
)	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
in	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
computers	O
and	O
computing	O
applications	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
in	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
telecommunications	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
The	O
insulated-gate	B-Algorithm
bipolar	O
transistor	B-Application
(	O
IGBT	O
)	O
is	O
a	B-General_Concept
power	O
transistor	B-Application
with	O
characteristics	O
of	O
both	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
and	O
bipolar	O
junction	O
transistor	B-Application
(	O
BJT	O
)	O
.	O
</s>
<s>
,	O
the	O
IGBT	O
is	O
the	O
second	O
most	O
widely	O
used	O
power	O
transistor	B-Application
,	O
after	O
the	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
The	O
IGBT	O
accounts	O
for	O
27%	O
of	O
the	O
power	O
transistor	B-Application
market	O
,	O
second	O
only	O
to	O
the	O
power	O
MOSFET	B-Architecture
(	O
53%	O
)	O
,	O
and	O
ahead	O
of	O
the	O
RF	O
amplifier	O
(	O
11%	O
)	O
and	O
bipolar	O
junction	O
transistor	B-Application
(	O
9%	O
)	O
.	O
</s>
<s>
In	O
quantum	O
physics	O
and	O
quantum	O
mechanics	O
,	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
the	O
basis	O
for	O
two-dimensional	O
electron	O
gas	O
(	O
2DEG	O
)	O
and	O
the	O
quantum	O
Hall	O
effect	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
enables	O
physicists	O
to	O
study	O
electron	O
behavior	O
in	O
a	B-General_Concept
two-dimensional	O
gas	O
,	O
called	O
a	B-General_Concept
two-dimensional	O
electron	O
gas	O
.	O
</s>
<s>
In	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
,	O
conduction	O
electrons	O
travel	O
in	O
a	B-General_Concept
thin	O
surface	O
layer	O
,	O
and	O
a	B-General_Concept
"	O
gate	B-Algorithm
"	O
voltage	O
controls	O
the	O
number	O
of	O
charge	O
carriers	O
in	O
this	O
layer	O
.	O
</s>
<s>
This	O
allows	O
researchers	O
to	O
explore	O
quantum	O
effects	O
by	O
operating	O
high-purity	O
MOSFETs	B-Architecture
at	O
liquid	O
helium	O
temperatures	O
.	O
</s>
<s>
In	O
1978	O
,	O
the	O
Gakushuin	O
University	O
researchers	O
Jun-ichi	O
Wakabayashi	O
and	O
Shinji	O
Kawaji	O
observed	O
the	O
Hall	O
effect	O
in	O
experiments	O
carried	O
out	O
on	O
the	O
inversion	O
layer	O
of	O
MOSFETs	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
In	O
1980	O
,	O
Klaus	O
von	O
Klitzing	O
,	O
working	O
at	O
the	O
high	O
magnetic	O
field	O
laboratory	O
in	O
Grenoble	O
with	O
silicon-based	O
MOSFET	B-Architecture
samples	O
developed	O
by	O
Michael	O
Pepper	O
and	O
Gerhard	O
Dorda	O
,	O
made	O
the	O
unexpected	O
discovery	O
of	O
the	O
quantum	O
Hall	O
effect	O
.	O
</s>
<s>
The	O
MOSFET	B-Architecture
is	O
used	O
in	O
quantum	O
technology	O
.	O
</s>
<s>
A	B-General_Concept
quantum	O
field-effect	O
transistor	B-Application
(	O
QFET	O
)	O
or	O
quantum	O
well	O
field-effect	O
transistor	B-Application
(	O
QWFET	O
)	O
is	O
a	B-General_Concept
type	O
of	O
MOSFET	B-Architecture
that	O
takes	O
advantage	O
of	O
quantum	O
tunneling	O
to	O
greatly	O
increase	O
the	O
speed	O
of	O
transistor	B-Application
operation	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
transportation	O
.	O
</s>
<s>
MOS	B-Architecture
technology	I-Architecture
is	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
vehicles	O
and	O
transportation	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
applications	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
the	O
automotive	O
industry	O
,	O
particularly	O
for	O
automotive	O
electronics	O
in	O
motor	O
vehicles	O
.	O
</s>
<s>
Power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
transportation	O
technology	O
,	O
which	O
includes	O
the	O
following	O
vehicles	O
.	O
</s>
<s>
In	O
the	O
automotive	O
industry	O
,	O
power	O
MOSFETs	B-Architecture
are	O
widely	O
used	O
in	O
automotive	O
electronics	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
.	O
</s>
<s>
The	O
insulated-gate	B-Algorithm
bipolar	O
transistor	B-Application
(	O
IGBT	O
)	O
is	O
a	B-General_Concept
power	O
transistor	B-Application
with	O
characteristics	O
of	O
both	O
a	B-General_Concept
MOSFET	B-Architecture
and	O
bipolar	O
junction	O
transistor	B-Application
(	O
BJT	O
)	O
.	O
</s>
<s>
In	O
the	O
space	O
industry	O
,	O
MOSFET	B-Architecture
devices	O
were	O
adopted	O
by	O
NASA	O
for	O
space	O
research	O
in	O
1964	O
,	O
for	O
its	O
Interplanetary	O
Monitoring	O
Platform	O
(	O
IMP	O
)	O
program	O
and	O
Explorers	O
space	O
exploration	O
program	O
.	O
</s>
<s>
The	O
use	O
of	O
MOSFETs	B-Architecture
was	O
a	B-General_Concept
major	O
step	O
forward	O
in	O
the	O
electronics	O
design	O
of	O
spacecraft	O
and	O
satellites	B-Application
.	O
</s>
<s>
The	O
IMP	O
D	O
(	O
Explorer	O
33	O
)	O
,	O
launched	O
in	O
1966	O
,	O
was	O
the	O
first	O
spacecraft	O
to	O
use	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
.	O
</s>
<s>
Data	O
gathered	O
by	O
IMP	O
spacecraft	O
and	O
satellites	B-Application
were	O
used	O
to	O
support	O
the	O
Apollo	O
program	O
,	O
enabling	O
the	O
first	O
manned	O
Moon	O
landing	O
with	O
the	O
Apollo	O
11	O
mission	O
in	O
1969	O
.	O
</s>
<s>
The	O
Cassini	O
–	O
Huygens	O
to	O
Saturn	B-Device
in	O
1997	O
had	O
spacecraft	O
power	O
distribution	O
accomplished	O
192	O
solid-state	O
power	O
switch	O
(	O
SSPS	O
)	O
devices	O
,	O
which	O
also	O
functioned	O
as	O
circuit	B-Device
breakers	I-Device
in	O
the	O
event	O
of	O
an	O
overload	O
condition	O
.	O
</s>
<s>
The	O
switches	O
were	O
developed	O
from	O
a	B-General_Concept
combination	O
of	O
two	O
semiconductor	O
devices	O
with	O
switching	O
capabilities	O
:	O
the	O
MOSFET	B-Architecture
and	O
the	O
ASIC	O
(	O
application-specific	O
integrated	O
circuit	O
)	O
.	O
</s>
<s>
MOSFETs	B-Architecture
are	O
commonly	O
used	O
for	O
a	B-General_Concept
wide	O
range	O
of	O
other	O
applications	O
,	O
which	O
include	O
the	O
following	O
.	O
</s>
